三星为移动设备制造128GB闪存芯片和2GBLPDDR3内存

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三星半导体已经开始为移动设备制造128GB闪存芯片以及2GB LPDDR3 DRAM模块。目前最高端的智能手机搭载的内置存储容量仅为64GB，这对许多媒体重度爱好者而言，无法将他们的音乐和媒体全部放到手机内置空间里。新模块的引进和制造应该能够缓解这个问题，不过可能初期的成本也会比较高。

2GB LPDDR3 DRAM制造基于三星的30nm工艺，首次完成单片封装2GB模组。相对于LPDDR2 DRAM，LPDDR3的速度可达1600Mbps，提升了50%。三星表示，新芯片还将带来在智能手机和平板设备上的实时1080p视频解码播放。

这一全新突破相信对传说中将在2月份于MWC 2013上展示Galaxy S IV的芯片制造有很大帮助。