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美国政府对中国华为启动事实上的出口禁令已有5年。美国政府一直在采取遏制中国芯片技术的措施。不过,实际效果很少被讨论。每年拆解100种产品电子产品的日本半导体调查企业TechanaLye(东京中央区)的社长清水洋治表示,中国芯片的实力已经达到比台积电(TSMC)只落后3年的水平。
据日本经济新闻报道称,比较台积电以5纳米量产的“KIRIN 9000”(2021年) 和中芯国际以7纳米生产的“KIRIN 9010”(2024年)的处理器性能,发现差距不大。
清水展示的是成为2024年4月上市的华为最新款智能手机“华为 Pura 70 Pro”大脑的应用处理器(AP)和截至2021年的高性能智能手机应用处理器的两张半导体电路图。
最新的应用处理器“KIRIN 9010”由华为旗下的海思半导体设计,由中国半导体代工企业中芯国际(SMIC)负责量产。而2021年的应用处理器“KIRIN 9000”由海思半导体设计,台积电负责量产。
美国政府的警惕对象中芯国际采用的是线路线宽为7纳米(纳米是10亿分之1米)的技术,而台积电当时采用5纳米的量产制程,向华为供应处理器。
一般来说,如果线路线宽变窄,半导体的处理性能就会提高,半导体面积则会变小。据称中芯国际以7纳米量产的芯片面积为118.4平方毫米,台积电的5纳米芯片则为107.8平方毫米,面积没有太大差异,处理性能也基本相同。
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虽然在良品率上存在差距,但从出货的半导体芯片的性能来看,中芯国际的实力已追赶到比台积电落后至3年。虽然线路线宽为7纳米,但可以发挥与台积电的5纳米相同的性能,因此可以分析出海思半导体的设计能力也进一步提高。
报道称,其中,中芯国际以7纳米制程发挥了与台积电5纳米相同的性能,这一事实影响巨大。随着把线路线宽缩小到极限的“微细化”的难度加大,在尖端领域的开发竞争中,台积电要想甩开中国大陆企业变得更加困难。
据日本经济新闻称,清水洋治详细分析了华为最新款智能手机,得出结论是:“到目前为止,美国政府的管制只是略微减慢了中国的技术创新,但推动了中国半导体产业的自主生产”。
据日本经济新闻报道称,比较台积电以5纳米量产的“KIRIN 9000”(2021年) 和中芯国际以7纳米生产的“KIRIN 9010”(2024年)的处理器性能,发现差距不大。
清水展示的是成为2024年4月上市的华为最新款智能手机“华为 Pura 70 Pro”大脑的应用处理器(AP)和截至2021年的高性能智能手机应用处理器的两张半导体电路图。
最新的应用处理器“KIRIN 9010”由华为旗下的海思半导体设计,由中国半导体代工企业中芯国际(SMIC)负责量产。而2021年的应用处理器“KIRIN 9000”由海思半导体设计,台积电负责量产。
美国政府的警惕对象中芯国际采用的是线路线宽为7纳米(纳米是10亿分之1米)的技术,而台积电当时采用5纳米的量产制程,向华为供应处理器。
一般来说,如果线路线宽变窄,半导体的处理性能就会提高,半导体面积则会变小。据称中芯国际以7纳米量产的芯片面积为118.4平方毫米,台积电的5纳米芯片则为107.8平方毫米,面积没有太大差异,处理性能也基本相同。
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虽然在良品率上存在差距,但从出货的半导体芯片的性能来看,中芯国际的实力已追赶到比台积电落后至3年。虽然线路线宽为7纳米,但可以发挥与台积电的5纳米相同的性能,因此可以分析出海思半导体的设计能力也进一步提高。
报道称,其中,中芯国际以7纳米制程发挥了与台积电5纳米相同的性能,这一事实影响巨大。随着把线路线宽缩小到极限的“微细化”的难度加大,在尖端领域的开发竞争中,台积电要想甩开中国大陆企业变得更加困难。
据日本经济新闻称,清水洋治详细分析了华为最新款智能手机,得出结论是:“到目前为止,美国政府的管制只是略微减慢了中国的技术创新,但推动了中国半导体产业的自主生产”。
日媒:拆解华为手机发现 中国半导体或仅落后3年 -6parknews.com
日媒:拆解华为手机发现 中国半导体或仅落后3年 - 留园网 海外华人第一站 6parknews.com
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