日媒: 拆解华为手机发现，中国半导体仅落后3年(图)

[向问天]

美国政府对中国华为启动事实上的出口禁令已有5年。美国政府一直在采取遏制中国芯片技术的措施。不过，实际效果很少被讨论。每年拆解100种产品电子产品的日本半导体调查企业TechanaLye(东京中央区)的社长清水洋治表示，中国芯片的实力已经达到比台积电(TSMC)只落后3年的水平。

据日本经济新闻报道称，比较台积电以5纳米量产的“KIRIN 9000”(2021年) 和中芯国际以7纳米生产的“KIRIN 9010”(2024年)的处理器性能，发现差距不大。

清水展示的是成为2024年4月上市的华为最新款智能手机“华为 Pura 70 Pro”大脑的应用处理器（AP）和截至2021年的高性能智能手机应用处理器的两张半导体电路图。

最新的应用处理器“KIRIN 9010”由华为旗下的海思半导体设计，由中国半导体代工企业中芯国际(SMIC)负责量产。而2021年的应用处理器“KIRIN 9000”由海思半导体设计，台积电负责量产。

美国政府的警惕对象中芯国际采用的是线路线宽为7纳米(纳米是10亿分之1米)的技术，而台积电当时采用5纳米的量产制程，向华为供应处理器。

一般来说，如果线路线宽变窄，半导体的处理性能就会提高，半导体面积则会变小。据称中芯国际以7纳米量产的芯片面积为118.4平方毫米，台积电的5纳米芯片则为107.8平方毫米，面积没有太大差异，处理性能也基本相同。
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虽然在良品率上存在差距，但从出货的半导体芯片的性能来看，中芯国际的实力已追赶到比台积电落后至3年。虽然线路线宽为7纳米，但可以发挥与台积电的5纳米相同的性能，因此可以分析出海思半导体的设计能力也进一步提高。

报道称，其中，中芯国际以7纳米制程发挥了与台积电5纳米相同的性能，这一事实影响巨大。随着把线路线宽缩小到极限的“微细化”的难度加大，在尖端领域的开发竞争中，台积电要想甩开中国大陆企业变得更加困难。

据日本经济新闻称，清水洋治详细分析了华为最新款智能手机，得出结论是：“到目前为止，美国政府的管制只是略微减慢了中国的技术创新，但推动了中国半导体产业的自主生产”。

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[向问天]

评论人:Washington001[★品衔R5★][个人频道][个人动态] 2024年08月28日14:58 回复

回复3楼:把美国自己的企业也坑了。世界上绝大多数的芯片都不需要什么7纳米、三纳米的制造技术。基本上过去只有手机芯片用到这样高端的芯片。因此台积电代工高端芯片也基本上就是高通和苹果的芯片。现在加上了Nvidia的AI芯片。大量的中低端芯片是美国公司提供的。这些芯片基本上都是作为零部件卖给最终产品生产商。中国公司过去长期和国外这些公司合作，对这些零部件芯片的技术性能、整合都很完善。中国的新公司即使产品再好，也很难打入这些市场。因为一个零部件出现问题就会影响最终产品的品质和品牌的名声。

现在，中国公司为了供应链的稳定愿意承担和国内芯片公司初期合作的风险，给国内公司更多的市场和整合、发展的机会。美国的得州仪器就是一个典型的芯片零部件供应商。这两年的销售下降很快。2024年的2季度又下降了16%。

 

[茶马盐铁]

放屁！中国半导体遥遥领先，你才落后！你全家都落后！！！

 

[jy]

美国政府对中国华为启动事实上的出口禁令已有5年。美国政府一直在采取遏制中国芯片技术的措施。不过，实际效果很少被讨论。每年拆解100种产品电子产品的日本半导体调查企业TechanaLye(东京中央区)的社长清水洋治表示，中国芯片的实力已经达到比台积电(TSMC)只落后3年的水平。

浏览附件1151535

据日本经济新闻报道称，比较台积电以5纳米量产的“KIRIN 9000”(2021年) 和中芯国际以7纳米生产的“KIRIN 9010”(2024年)的处理器性能，发现差距不大。

清水展示的是成为2024年4月上市的华为最新款智能手机“华为 Pura 70 Pro”大脑的应用处理器（AP）和截至2021年的高性能智能手机应用处理器的两张半导体电路图。

最新的应用处理器“KIRIN 9010”由华为旗下的海思半导体设计，由中国半导体代工企业中芯国际(SMIC)负责量产。而2021年的应用处理器“KIRIN 9000”由海思半导体设计，台积电负责量产。

美国政府的警惕对象中芯国际采用的是线路线宽为7纳米(纳米是10亿分之1米)的技术，而台积电当时采用5纳米的量产制程，向华为供应处理器。

一般来说，如果线路线宽变窄，半导体的处理性能就会提高，半导体面积则会变小。据称中芯国际以7纳米量产的芯片面积为118.4平方毫米，台积电的5纳米芯片则为107.8平方毫米，面积没有太大差异，处理性能也基本相同。
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虽然在良品率上存在差距，但从出货的半导体芯片的性能来看，中芯国际的实力已追赶到比台积电落后至3年。虽然线路线宽为7纳米，但可以发挥与台积电的5纳米相同的性能，因此可以分析出海思半导体的设计能力也进一步提高。

报道称，其中，中芯国际以7纳米制程发挥了与台积电5纳米相同的性能，这一事实影响巨大。随着把线路线宽缩小到极限的“微细化”的难度加大，在尖端领域的开发竞争中，台积电要想甩开中国大陆企业变得更加困难。

据日本经济新闻称，清水洋治详细分析了华为最新款智能手机，得出结论是：“到目前为止，美国政府的管制只是略微减慢了中国的技术创新，但推动了中国半导体产业的自主生产”。

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我理解性能差不多可能是处理器设计优化达到的。
不优化的话，5纳米当然比7纳米好。

 

[Hard Worker]

三年都不到了，十月份上市的麒麟9010是五纳米制程的，优化后超过枭龙8 gen 2，只比最先进的芯片落后两年，明年年底就可能赶上，因为三纳米向下没有进步。

 

[dreamland]

哇， 落后3年，落后太多了，中国要崩了。LOL

 

[草头将军]

放屁！中国半导体遥遥领先，你才落后！你全家都落后！！！

你还是划你的渔船去吧！高科技，你懂个球球

 

[草头将军]

芯片的算速上也许只差三年。台积电 3nm 良品率达 90%. 三星早几年就号称做出了 3nm，就是良品率上不来。大陆良品率是多少没数据。普遍估计 7nm 不到 70%。要达到台积电的水平还有很长的路要走

 

[向问天]

美国的制裁完全踩空


View: https://youtu.be/gd2LnzYjUE8?si=gdqUiEoW5Ew5eOYI

 

[uglyducking]

再拆一次，保不齐就领先三年了

 

[一心无住]

最新版的华为手机相当于苹果三星3年前的手机？你这是辱华啊。

 

[菜彪]

最新版的华为手机相当于苹果三星3年前的手机？你这是辱华啊。

真正的中国人没人觉得这是辱华。中国在先进半导体制程领域和最先进水平还存在明显差距，这是客观事实，也是华为、中芯努力的目标。

倒是很多歪屁股的汉奸，不是辱华的时候非要扯辱华，真正有机会辱华的时候争着当急先锋。

 

[一心无住]

真正的中国人没人觉得这是辱华。中国在先进半导体制程领域和最先进水平还存在明显差距，这是客观事实，也是华为、中芯努力的目标。

倒是很多歪屁股的汉奸，不是辱华的时候非要扯辱华，真正有机会辱华的时候争着当急先锋。

这篇网文没深究落后的原因，所以你们能接受。只要一深究落后的原因你们就会急，只因为你们只爱党不爱国甚至误国。

 

[向问天]

最新版的华为手机相当于苹果三星3年前的手机？你这是辱华啊。

只有手机这种小玩艺还是大众产品的，装最新的芯片有些意义，其它很多产品不需要。

比如，美国现在的核导弹寿命大于50年，现在维护有困难，拆卸有困难。而中国现在正在发展的核武器用上了接近最高级的芯片。其它如第五代战斗机，甚至正在建造的核动力航空母舰，中国的都比美国的先进得多。

 

[茶马盐铁]

这特么还不是辱华？有些高级黑装作理中客，实则一直在暗讽中国落后。 还落后三年？中国半导体芯片早就遥遥领先于世界。 只有某些恨国党，才会无视事实， 装作煞有其事的搞什么拆机，最后不错所料， 得出中国落后的结论。 真是屁股坐歪了，连带脑子都歪了。