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长江存储刚刚造闪存的时候，拜登政府出台控制措施，禁止中国最多128层，结果两年不到，出口400层技术给行业老大三星。
长江存储实现了对三星的技术专利许可，这对于一直在坚持自主研发的中国科技企业而言，无疑是又一次重大鼓舞。2月24日，韩国媒体ZDNet Korea独家报道称，三星电子近日与中国存储芯片厂商长江存储签署了专利许可协议，将从后者获得3D NAND“混合键合”专利，该专利是一种将晶圆和晶圆直接键合的尖端封装技术。三星此次获取长江存储专利授权，将主要用于下一代（V10）闪存芯片开发上，这代芯片计划于今年下半年量产，堆叠层数将达到420层-430层。为了让V10芯片尽快量产，三星引入了多项新技术，晶圆和晶圆之间的混合键合“至关重要”。三星之所以这么看重这项技术，是因为“混合键合”技术省去了传统芯片连接所需的凸块，缩短了电路，并提高了存储性能和散热特性，“特别是晶圆之间的混合键合，它键合的是整个晶圆而不是芯片，在提高生产效率方面也具有优势”。
三星电子作为存储芯片行业的领头羊，从中国企业获得专利授权比较罕见。这家韩媒直言，由于工艺流程问题，三星难以规避中国企业的专利，获取授权是必然，未来的竞争可能会非常激烈。
与三星相比，长江存储是一个后起之秀，2016年才在武汉成立，至今不到10年。当时，存储芯片行业已经是成熟市场，三星、SK海力士、美光等巨头占据了大部分市场份额。对于后来者而言，要想长久发展，首要目标并不是快速抢市场，而是要确保技术专利的合规。如果技术专利上出了问题，甚至被行业巨头找上麻烦，将影响企业的长期发展，甚至危及生存，福建晋华和美光的专利侵权纠纷就是一个典型例子，一度导致福建晋华的运营停摆。
也正是提前考虑了这一点，长江存储在成立之初获得国家大基金投资的同时，国家也对长江存储所从事的3D NAND技术研发生产，进行了全面专利预警工作。
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