芯片制造商努力开发金属门极

[Jaxon]

技术专家正在准备迎接CMOS门极层叠集成技术的重大变化：用于PMOS和NMOS晶体管的两种金属将代替多晶硅门电极。

由于多晶硅原子可能增加门极氧化物的厚度，恶化晶体管的开关速度，所以有必要使用金属门极。预期最早将于2005年开始采用高介电常数氧化物，这也是减小高性能低功耗集成电路泄露电流的措施之一。

金属门极使问题更加复杂，这也是将于12月9日在旧金山举行国际电子器件会议(IEDM)的重点议题之一。

在IEDM上摩托罗拉公司的研究人员将介绍在二氧化铪门极绝缘物上，将氮化硅钽(TaSiN)集成为NMOS门电极以及将氮化钛(TiN)集成为PMOS电极方面所作的试验工作。

摩托罗拉先进产品研究和开发实验室(APRDL)副总裁Joe Mogab表示，多晶硅即使经过深度掺杂也不是真正的金属，必须采用不同的材料进行掺杂才能制造出NMOS和PMOS晶体管。在高温条件下，掺杂剂有向多晶硅电极和门极氧化物交界面移动的趋势。当这些原子，尤其是用于制造P型晶体管的硼原子进入门极和沟道区域时，引起不可预测和不希望的阈值电压散布，这成为一个问题。

 

[yangyigen]

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yangyigen@yahoo.com

 

[Jaxon]

最初由 yangyigen 发布
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No hope at all
You have better go back( or stay in) Shanghai.

 

[辟邪]

呆在上海吧，我还琢磨怎么才能回去呢