三星试产50nm 16GB DDR3内存

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三星电子宣布已经开始试产业界最小的2Gb DDR3内存芯片,可由此组成大容量的16GB内存条.
三星这种新型DDR3内存采用了50nm工艺,生产率比同密度的DDR2提高了60％,同时功耗比1Gb DDR3节约40％以上,对服务器和下一代台式机、笔记本应用来说至关重要.

这种内存芯片可工作在1.35V或1.50V电压下,数据传输率最高1.3Gbps,使用它无需堆叠即可组成8GB RIMM、4GB SODIMM/UDIMM内存,采用Dual-DIE封装则可进一步制造16GB RIMM内存.

据IDC预测,DDR3有望在2009年占领整个DRAM内存市场的29％,2011年增至72％,同时2Gb DDR3芯片的比例从3％增至33％.

文/驱动之家