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三星公司近日宣布他们已经成功制成了业内首款30nm制程 2Gb DDR3芯片。据三星公司表示，启用30nm制程后，DDR3内存芯片的产出率将比40nm制程提升60%左右，相比50/60nm制程的成本利用率则能 提升两倍左右.
“我们在30nm级别制程的内存芯片制造技术方面的开发进程将令我们在内存业界保持最具竞争力的领先地位，”三星公司内存分部的总裁Soo-In Cho表示：“我们的30nm级别制程技术可以制造出目前业内最高级的DDR3低功耗内存芯片产品，这种产品的效能将在消费电子领域以及服务器市场占据领先地位。”
三星30nm制程2Gb DDR3芯片的能耗相比50nm芯片下降了30%以上，这种芯片将被应用在从台式机，笔记本到服务器，上网本以及移动设备等应用场合上。三星这种30nm制程芯片将于今年下半年投入量产。
CNBeta编译
原文：tcmagazine
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“我们在30nm级别制程的内存芯片制造技术方面的开发进程将令我们在内存业界保持最具竞争力的领先地位，”三星公司内存分部的总裁Soo-In Cho表示：“我们的30nm级别制程技术可以制造出目前业内最高级的DDR3低功耗内存芯片产品，这种产品的效能将在消费电子领域以及服务器市场占据领先地位。”
三星30nm制程2Gb DDR3芯片的能耗相比50nm芯片下降了30%以上，这种芯片将被应用在从台式机，笔记本到服务器，上网本以及移动设备等应用场合上。三星这种30nm制程芯片将于今年下半年投入量产。
CNBeta编译
原文：tcmagazine
