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比利时半导体研究机构IMEC最近宣布在其设在比利时鲁汶的研究设施中安装了一台ASML生产的NXE:3100试产型EUV光刻机。IMEC机构的总裁 兼CEO Luc Van den hove会在今天召开的SPIE高级光刻技术会议（SPIE advanced lithography conference）上所作的演讲中介绍这台光刻机的有关信息。这次IMEC安装的NXE:3100 EUV光刻机配备了高功率优化光源系统，彰显了IMEC欲将EUVL技术推广向实用领域的雄心。
NXE:3100光刻机配备了采用放电激发等离子体技术（DPP (discharge produced plasma)）的EUV光源系统，这套光源系统由Extreme Technologies公司制作。在同样的制程条件下，NXE:3100的晶圆加工产出量相比早先推出的EUV Alpha Demo Tool光刻机提升了20倍左右，而产出量的极大提升则是源自于新机型光源功率的提升，透射率的提升以及双工作台(dual stage：即可同时加工两片晶圆)的新设计。
pattern collapse图例
IMEC的EUVL技术研究计划的主要课题是，将14nm制程逻辑电路和2xnm及1xnm制程存储电路集成在一起制造，并解决制造过程中使用EUV与传统光刻系统在芯片制造工艺方面存在差异的问题，另外，研究的课题还将包括如何解决EUV光刻图形线边缘粗糙度不佳，以及图形倒线（pattern collapse），掩膜版缺陷（ reticle defectivity）等问题。IMEC光刻技术分部的主管Kurt Ronse说：“本周我们会在SPIE高级光刻技术会议上公开28份技术文件，这些文件会介绍我们和我们的合作伙伴一起在EUV光阻和掩膜版缺陷控制方面所取得一些重大成就。”
CNBeta编译
原文：eetimes
http://it/2011-02-28/1424145.php
</img>
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NXE:3100光刻机配备了采用放电激发等离子体技术（DPP (discharge produced plasma)）的EUV光源系统，这套光源系统由Extreme Technologies公司制作。在同样的制程条件下，NXE:3100的晶圆加工产出量相比早先推出的EUV Alpha Demo Tool光刻机提升了20倍左右，而产出量的极大提升则是源自于新机型光源功率的提升，透射率的提升以及双工作台(dual stage：即可同时加工两片晶圆)的新设计。
pattern collapse图例
IMEC的EUVL技术研究计划的主要课题是，将14nm制程逻辑电路和2xnm及1xnm制程存储电路集成在一起制造，并解决制造过程中使用EUV与传统光刻系统在芯片制造工艺方面存在差异的问题，另外，研究的课题还将包括如何解决EUV光刻图形线边缘粗糙度不佳，以及图形倒线（pattern collapse），掩膜版缺陷（ reticle defectivity）等问题。IMEC光刻技术分部的主管Kurt Ronse说：“本周我们会在SPIE高级光刻技术会议上公开28份技术文件，这些文件会介绍我们和我们的合作伙伴一起在EUV光阻和掩膜版缺陷控制方面所取得一些重大成就。”
CNBeta编译
原文：eetimes
http://it/2011-02-28/1424145.php
