尔必达宣布开发出25nm制程2GbDDR3内存芯片

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日本尔必达公司宣布开发出25nm制程2Gb密度DDR3内存芯片产品，这款产品可支持DDR3-1866规格，并兼容1.35V工作电压条件下的DDR3L-1600工作模式。预计芯片样品将于今年7月份开始向外出售，芯片的量产则也将在同一时期启动。
比较尔必达现有的30nm制程2Gb密度产品，新款25nm 2Gb密度产品的存储单元面积下降了30%，芯片产出量则高出了30%。

新25nm制程产品主要面向低能耗PC或消费电子设备应用市场，比较现有的30nm产品，25nm制程产品的工作电流下降了15%，待机电流则下降了29%。

除了2Gb密度的产品之外，尔必达还表示将于年底前开始25nm制程4Gb密度DDR3内存芯片的量产，相比30nm制程产品，25nm制程4Gb密度芯片的每片晶圆芯片产出量将提升44%左右。

另外，尔必达还表示新25nm制程将被应用在还在进一步开发中的移动设备用内存芯片上。

CNBeta编译
原文：digitimes


http://it/2011-05-02/1529826.php
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