EUV技术发展状况不理想恐影响到NAND闪存供货

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在最近举办的闪存技术高峰会议上，Sandisk公司的技术高管Yoram Cedar对闪存市场的未来展望作了并不乐观的判断，他还表示，有下一代光刻技术之称的EUVL极紫外光刻技术迟迟未能投入实用，恐怕会影响到NAND闪存供货量的增长速度和制造成本下降的速度，使其低于历史水平。
他还表示，现有的液浸式光刻机将会继续服役到10nm或更高级别的节点制程。另外一方面，各大厂商还在积极发展基于垂直型晶体管结构的NAND闪存技术，这种新产品也将采用液浸式光刻机进行制造，但是这种产品的存储密度更高，因此可以改善供货量增长速度过慢的状况。

上文所说的垂直型晶体管结构NAND中起存储作用的仍是传统的MOS结构，而NAND闪存技术发展的下一步则是向垂直型晶体管结构中引入电阻可变型下一代存储技术，这样便可以将储存芯片的位密度进一步增加。但他表示这种基于电阻可变型技术的存储芯片必须使用EUV光刻机才能进行批量制造。

Cedar拒绝就EUV光刻技术投入实用的可能时间点，以及垂直型晶体管结构存储芯片目前的发展状态进行评论。不过他表示闪存业者会使用液浸式光刻机制造位密度在64-128Gbit的闪存芯片产品。

Cedar在回答听众提问时表示：“许多业内人士都对EUV技术非常关注，他们关注的焦点不仅仅是EUV何时能够投入量产实用，而且还包括EUV光刻机的价格成本问题，EUV光刻机的售价通常可达数百万美元水平。”（按照此前的有关报道，今年1月份已上市的部分试量产型EUV光刻机的售价水平有可能达到1.2亿美元。）不过Cedar则对EUV光刻机价格进一步下降持乐观态度，他还提醒人们注意称，以往人们曾数度对摩尔定律失去信心，认为其已经寿终正寝，但实际情况证明事实并非如此。

他说：”90nm节点时，我们都曾自以56nm节点恐怕就是制程节点缩减的极限了。“

但Cedar带来的也并非全是悲观的消息。好消息是闪存市场的需求目前正处在进一步拓展的强势阶段，预计2015年闪存市场的增长幅度有望达到25%，相比之下磁盘式存储设备的市场需求增长速度则仅不到其一半，DRAM内存芯片的增长幅度则预计仅1%左右。

Cedar认为，到2015年前，有三分之一的NAND闪存芯片产品将被用于制造智能手机，而届时智能手机的销量则会达到11亿部，而15%的NAND闪存芯片则会被用于制造平板电脑产品，其2015年预计的销量约在3.27亿部。另外25%的NAND闪存则会被固态硬盘所用，后者在个人用户市场的销量有望达到1.33亿块，在服务器市场则有望达到1200万块。其余约26%的NAND闪存则会被MP3，USB闪盘，数码相机等产品瓜分。

目前业者正在并行开发几种分别基于液浸式光刻技术（左图）和EUV光刻技术的垂直型晶体管结构NAND闪存技术

CNBeta编译
原文：eetimes


http://it/2011-08-10/1683345.php
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