仔细看日本列入出口管理的 23 个品类的半导体设备和材料里,的确有多项和 镓、锗 有关,但中国已经攻克了 镓、锗有关化合物的精细加工。
应对刻舟求剑的日本 “出口管理”,中国大陆开始限制 镓、锗 出口的目的还真就是以斗争求合作。
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二、受出口管制的半导体材料
1、在基板上具有属于以下任何一项的物质的多层膜晶体,并且该晶体被外延生长,这将是异质外延材料(对应于氮化镓,氮化铟镓, 氮化铝镓, 氮化铟铝, 氮化铟铝镓, 磷化镓, 砷化镓, 砷化铝镓, 磷化铟, 磷化铟镓, 磷化铝铟或磷化铟 (仅限于铝/镓),除了那些有一个或多个P型外延层,且P型外延层不夹在N型层之间。)
(1)硅
(2)锗
(3)碳化硅
(4)III-V 族化合物(限于镓或铟化合物)
(5)三氧化二镓
(6)金刚石
2、属于以下任何一项的抗蚀剂(光刻胶)或涂有它们的基材。
(1)用于半导体光刻并具有以下任何一项的抗蚀剂:
a、针对波长大于等于 15 nm 小于 193 nm 的光使用而优化的正型抗蚀剂;
b、针对波长大于 1 nm 且小于 15 nm 的光使用而优化的抗蚀剂
(2)设计用于电子束或离子束的抗蚀剂,灵敏度为每平方毫米 0.01 微库仑或更小;
(3)已删除;
(4)表面成像技术的优化抗蚀剂;
(5)设计或优化用于属于第 17 f(2) 项的压印光刻设备的热塑性或光固化抗蚀剂;
3、属于下列任何一项的有机金属化合物或有机化合物:
(1)纯度大于99.999%的铝、镓或铟的有机金属化合物
(2)纯度超过99.999%的磷、砷或锑的有机化合物
4、纯度超过99.999%的磷、砷或锑的氢化物(含惰性气体或氢气20%以上者除外)。
5、碳化硅、氮化镓、氮化铝、氮化铝镓、三氧化二镓或金刚石的半导体衬底或锭、晶锭或其他预制棒,在20度的温度下电阻率超过10000欧姆·厘米。
6、在20℃时电阻率超过10000欧姆·厘米的多晶衬底或多晶陶瓷衬底中,硅、碳化硅、氮化镓、氮化铝、氮化铝镓等非外延单晶层中至少有一层的三氧化二镓或金刚石。
7、前两项所列衬底,其外延层至少为一层或多层碳化硅、氮化镓、氮化铝、氮化铝镓、三氧化二镓或金刚石(上面第1项除外)。
日本一口气限制23种,中国这才两种。
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