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据Arete Research公司的分析师 Jagadish Iyer透露，与目前Intel 32nm节点制程用沉浸式光刻机为尼康公司独家供货的情况不同，到22nm制程节点，Intel将同时使用尼康和另外一家主要的光刻机厂商ASML的沉浸 式光刻设备进行生产。
过去在Intel的45nm制程节点，他们同样采用的是产自尼康和ASML两家公司的193nm干式光刻设备，不过到32nm制程节点，Intel开始首次转向使用193nm沉浸式光刻技术，而光刻设备的供应商也从原来的两家供货变成了由尼康独家供货。
预计在22nm制程节点，Intel会继续使用193nm沉浸式光刻技术，不过这次光刻设备供应商则又恢复由尼康和ASML两家同时供货的局面。Intel目前正在加大其45nm制程产品的产能，同时也宣布了今年即将推出的数款32nm制程产品。
“由于目前Intel准备用来制造22nm制程产品的主要装备基本已经定下，因此我们预计到今年年底，其22nm制程晶圆的月产能将达到5000片左右。预计今年11-12月份间，Intel旗下的四间芯片厂将开始较大量生产22nm制程芯片（这些芯片厂每月平均总产能均在4.5万片左右）。”
据Jagadish Iyer透露，Intel的22nm制程芯片在光刻过程中共有45个光刻层需要处理，其中有55%的光刻层都需要用到沉浸式光刻技术。另外其中40%是属于前段工步（FEOL：主要在硅片上制作MOSFET等电路元件的工步），而60%则属于后段工步（BEOL：主要在芯片上制作配线，封装的工步）。
他还表示ASML公司的NXT:1950i光刻机据称会被用在这些光刻处理过程中的前端工步，而尼康的S620D机型则将用于后端工步的光刻。“尽管在未来2-3个月内，情况有可能会发生一些变化，但那时我们仍然认为Intel会在Overlay参数要求较高（
过去在Intel的45nm制程节点，他们同样采用的是产自尼康和ASML两家公司的193nm干式光刻设备，不过到32nm制程节点，Intel开始首次转向使用193nm沉浸式光刻技术，而光刻设备的供应商也从原来的两家供货变成了由尼康独家供货。
预计在22nm制程节点，Intel会继续使用193nm沉浸式光刻技术，不过这次光刻设备供应商则又恢复由尼康和ASML两家同时供货的局面。Intel目前正在加大其45nm制程产品的产能，同时也宣布了今年即将推出的数款32nm制程产品。
“由于目前Intel准备用来制造22nm制程产品的主要装备基本已经定下，因此我们预计到今年年底，其22nm制程晶圆的月产能将达到5000片左右。预计今年11-12月份间，Intel旗下的四间芯片厂将开始较大量生产22nm制程芯片（这些芯片厂每月平均总产能均在4.5万片左右）。”
据Jagadish Iyer透露，Intel的22nm制程芯片在光刻过程中共有45个光刻层需要处理，其中有55%的光刻层都需要用到沉浸式光刻技术。另外其中40%是属于前段工步（FEOL：主要在硅片上制作MOSFET等电路元件的工步），而60%则属于后段工步（BEOL：主要在芯片上制作配线，封装的工步）。
他还表示ASML公司的NXT:1950i光刻机据称会被用在这些光刻处理过程中的前端工步，而尼康的S620D机型则将用于后端工步的光刻。“尽管在未来2-3个月内，情况有可能会发生一些变化，但那时我们仍然认为Intel会在Overlay参数要求较高（
