三星27nm制程32Gbit密度NAND闪存显微分析报告出炉

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UBM TechInsights网站最近对三星27nm制程的NAND闪存芯片实物进行了显微芯片分析。以下是这款NAND芯片拆解分析的部分内容。

如图所示，这款NAND闪存芯片核心内部标记有K9GBG08U0A的字样，这款芯片是三星今年四月份推出的，芯片的存储密度为32Gbit，采用27nm制程技术制作。

这是目前为止市面上第二款基于20nm级别制程的NAND闪存芯片产品，另外一款则是IM Flash生产的64Gbit密度的25nm制程产品。

然而，早在去年8月份，Hynix便宣称已经开始量产64Gbit密度26nm制程NAND闪存芯片产品，但不知为何目前我们还没有在市场上看到这款芯片的踪影。

UBM TechInsights的分析师称：“三星的NAND闪存芯片产品成功地从35nm制程进化到了27nm制程，他们在新制程中采用了许多创新性的技术，克服了许多其它存储芯片大厂所未能妥善解决的问题。”

当这款27nm制程的NAND芯片产品被应用在SD卡上时，其写入性能相比35nm制程产品（标号K9GBG08U0M）而言提升了30%左右，而产品的耐久性则基本与35nm制程产品持平。

另据UBM TechInsights指出，三星这种32Gbit密度27nm制程NAND闪存芯片去年第三季度完成了样件试制工作，量产时间则是在今年第一季度。

CNBeta编译
原文：eetimes


http://it/2011-06-03/1582996.php
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