中芯国际正式官宣,英特尔也没料到,中芯国际掌握了7nm芯片的制造工艺 这一天来得如此之快

茶马盐铁

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中芯国际正式官宣, 英特尔也没料到,这一天来得如此之快

信源:经济时报|编辑:2020-12-10|

在国内半导体领域,中芯国际扮演着重要的角色,因为它是最先进的国产芯片代工厂,每一次技术突破都会影响到整个行业的发展。随着美国规则的加深和去美化趋势的到来,中芯国际的突破速度也在不断地提升,近两年取得了很大的进步。

尤其是在今年,中芯国际已经完成了14nm芯片的量产,并且与华为联合生产出了一款纯国产芯片麒麟710A。这意味着中芯国际的工艺技术达到了中高端水平,就算不依赖国外的帮助,它也能生产出一些中端芯片。

除此之外,最近国内还传来了一个新消息,中芯国际正式官宣,基于第二代N+1工艺的芯片正在进行试产工作,很快就会迈入量产环节!也就是说,在突破到14nm芯片之后,中芯国际并没有满足于现状,而是继续朝着更先进的制程前进。

据中芯国际方面表示,第二代N+1工艺比上一代的性能更稳定,如果成功量产出芯片,那么就相当于台积电的7nm制程。虽然性能可能会有所差距,但是实际表现已经不输于台积电的7nm芯片了。

言外之意就是,中芯国际掌握了7nm芯片的制造工艺,迈出了进军高端市场最关键的一步!而且中芯国际CEO梁孟松还透露,第二代N+1工艺不需要EUV光刻机的支持就可以生产出7nm芯片,这可以说是打破了半导体行业的普遍认知。

要知道,ASML的EUV光刻机所以被各大芯片代工厂抢购,就是因为它是生产7nm及5nm芯片的必需设备。但是现在中芯国际却摆脱了对EUV光刻机的依赖,这对于国内而言无疑是一个非常好的消息,毕竟至今为止国内都没有买到一台EUV光刻机。

从中芯国际官宣的消息中不难看出,如今国产芯片正在慢慢崛起,只要国内的半导体公司都能像中芯国际这样,未来一定能实现各种芯片的自给自足,不需要再看国外供应商的脸色,这也是国内一直追求的目标!

英特尔始料未及

不过,值得一提的是,关于中芯国际的突破,美国芯片巨头英特尔也没料到,这一天来得如此之快!之所以这么说,主要有三个方面的原因,虽然曾经的英特尔确实很辉煌,但是现在看来,在芯片代工方面,中芯国际已经不逊色于英特尔了。

第一个原因是英特尔原本是除台积电和三星之外的世界第三大代工厂, 而中芯国际则排名第五。然而就目前的情况来看,英特尔的7nm芯片生产线陷入了瓶颈,始终无法突破,依然处于10nm的水平,这意味着中芯国际完全有能力超越它。

可以预料的是,只要中芯国际熟练掌握了量产7nm芯片的技术,英特尔的排名就会下降,到时候中芯国际将取而代之!虽然排名代表不了什么,但是至少有利于中芯国际打响自己的名声,吸纳更多的客户。

第二个原因是中芯国际成长起来后,英特尔的发展空间肯定会受到影响,毕竟二者的业务在某种程度上是重合的。至于台积电和三星,它们的工艺水平太高,中芯国际想要动摇它们的地位还需要继续进步,而英特尔则是现阶段最接近中芯国际的代工厂。

所以说,如果英特尔不尽快完成工艺升级,那么中芯国际将会抢占它的市场份额,想要再追上来就没有那么容易了。

第三个原因在于英特尔正在经历转型,它准备将部分芯片的代工业务外包给台积电等代工厂。这等于说是给中芯国际创造了一个良好的机会,因为英特尔连自己的芯片都处理不好,更不用说为客户代工了,而中芯国际则是一家专门为客户服务的代工厂。

由此可见,对于中芯国际的崛起,英特尔肯定是始料未及,但是它自顾不暇,根本没有办法改变这一切。

写在最后

虽然目前中芯国际还未达到顶尖水平,但是它为国产芯片带来了全新的希望,这个消息足以让国人感到振奋!希望以后中芯国际能继续保持突破的状态,为国产芯片的崛起做出更大的贡献!
 

uglyducking

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事实关键:

中芯国际试制类似7NM的产品,但是成败尚未可知。美国才宣布制裁中芯国际。

英特尔工厂本来已经落后。
 

eclipse

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使劲YY吧,搬个板凳等着看中芯制造7nm芯片。
要说掌握技术,华为早就掌握3nm技术了,懒得制造而已,让给了台积电。
 

happy 2016

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中科院研究员辟谣:5nm光刻技术被误读,国产水平在180nm

2020-12-08 分类:新闻速递 评论(1)

今年 7月份,中科院发表的一则《超分辨率激光光刻技术制备5纳米间隙电极和阵列》的研究论文引起了广泛的关注。当时,华为正被美国打压,中国芯片产业成为了国人的心头忧虑。

中科院研究员辟谣:5nm光刻技术被误读,国产水平在180nm





因此,中科院此新闻一出,遭部分媒体夸张、误解之后,立刻引起了一片沸腾。有媒体将其解读为“中国不用EUV光刻机,便能制造出5nm芯片”,但事实并非如此。

近日,该论文的通讯作者刘前在接受《财经》记者采访时,作出了解答。

中科院研究员辟谣:5nm光刻技术被误读,国产水平在180nm





刘前表示,论文介绍的新型5nm超高精度激光光刻加工方法,主要用在光掩膜制作上,并非是极紫外光光刻技术,部分媒体混淆了两者的概念。

在光刻过程中,光源通过激光将电路设计图写在光掩膜版上,然后照射在硅片的表面,之后便会进行刻蚀工艺。

中科院研究员辟谣:5nm光刻技术被误读,国产水平在180nm





可见,光掩膜是集成电路光刻机制造中,不可或缺的重要部分,其对集成电路线宽也起到了一定限制作用。人们常提到的12nm、5nm等,便是集成电路线宽。

长时间来,中国只能制造中低端光掩膜,并且还要依赖海外技术、材料等。

而高端光掩膜版更是成为我国“卡脖子”技术之一。全球高端光掩膜市场主要被美国Photronics、日本印刷株式会社、日本Toppan三者所垄断,余下的市场份额很少。

中科院研究员辟谣:5nm光刻技术被误读,国产水平在180nm





因此,中科院所攻克的这项新技术,虽然没有部分媒体表述的那样夸张,但对我国高端光掩膜市场的突破,依然具有重要意义。该技术具有完全自主知识产权,并且有成本更低的优点。

但是,该技术仍处在实验室阶段,想要实现商用并非是一件容易事。

而且,我国光刻机技术也有十分漫长的路要走。据AI财经社消息,有半导体产业资深人士表示:目前我国可以实现180nm制程,但仍在试用阶段,还需要攻克。

中科院研究员辟谣:5nm光刻技术被误读,国产水平在180nm





为何中国光刻机技术发展如此缓慢,有半导体业界人士表示:是产业环境的问题。此前,国产设备不被看好,客户不愿意配合使用与测试。这阻碍了我国光刻机产业的发展。

中科院研究员辟谣:5nm光刻技术被误读,国产水平在180nm





但是,华为被美国制裁事件发生后,许多相关厂商改变了看法,意识到将关键技术、设备等掌握在自己手中的重要性,中国集成电路产业的发展速度有明显加快。

不过,在中国落后颇多的情况下,想要实现突破并非是一件易事。但即便如此,国产芯片仍要抱有信心,不断追赶。
 

草头将军

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难怪特朗普今天没出镜,吐血啦!
 

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中芯国际从成立那天,就是偷人家台积电的技术,直接带走台积电的一堆技术人员成立的。
 

DavidWuu

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意思是中芯国际快赶上英特尔了? 所以美国要制裁?
 

livingeverywhere

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